(GaAs) 1,物理性质: 分子量:144.6446 CAS号:1303-00-0 熔点:1238℃ 密度:5.37g/cm3 外观:黑灰色固体 晶格常数:5.65×10-10m 禁带宽度:1.4电子伏 2,合成工艺:高纯的砷与高纯镓真空熔炼,后续处理后再进行区熔; 3,纯度:6N(99.9999%) 3,检测:GDMS(所有的杂质元素低于1ppm),XRD; 4, 包装:三层真空包装或充氩气保护; 5,服务:提供免费样品,MSDS及实用的防护措施; 6,应用:集成电路衬底,红外探测器,γ光子探测器,太阳能电池; (GaAs) 1,物理性质: 分子量:144.6446 CAS号:1303-00-0 熔点:1238℃ 密度:5.37g/cm3 外观:黑灰色固体 晶格常数:5.65×10-10m 禁带宽度:1.4电子伏 2,合成工艺:高纯的砷与高纯镓真空熔炼,后续处理后再进行区熔; 3,纯度:6N(99.9999%) 3,检测:GDMS(所有的杂质元素低于1ppm),XRD; 4, 包装:三层真空包装或充氩气保护; 5,服务:提供免费样品,MSDS及实用的防护措施; 6,应用:集成电路衬底,红外探测器,γ光子探测器,太阳能电池; (GaAs) 1,物理性质: 分子量:144.6446 CAS号:1303-00-0 熔点:1238℃ 密度:5.37g/cm3 外观:黑灰色固体 晶格常数:5.65×10-10m 禁带宽度:1.4电子伏 2,合成工艺:高纯的砷与高纯镓真空熔炼,后续处理后再进行区熔; 3,纯度:6N(99.9999%) 3,检测:GDMS(所有的杂质元素低于1ppm),XRD; 4, 包装:三层真空包装或充氩气保护; 5,服务:提供免费样品,MSDS及实用的防护措施; 6,应用:集成电路衬底,红外探测器,γ光子探测器,太阳能电池;